Collettore - tensione di rottura inversa del collettore

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Collettore - tensione di rottura inversa del collettore

Questa tensione è la tensione inversa massima consentita tra il collettore e l'emettitore quando il transistor è aperto, generalmente indicata da VCEO o BVCEO.

Base - tensione di rottura inversa base

Questa tensione è la tensione inversa massima consentita tra il collettore e la base quando l'emettitore del transistor è aperto, espressa in VCBO o BVCBO.

Tensione di rottura inversa emettitore-emettitore

Questa tensione è la tensione inversa massima consentita tra l'emettitore e la base quando il collettore del transistor è aperto, come indicato da VEBO o BVEBO.

Collettore - corrente inversa ICBO tra le basi

L'ICBO è anche chiamata corrente di dispersione inversa della giunzione del collettore, che si riferisce alla corrente inversa tra il collettore e la base quando l'emettitore del transistor è aperto. L'ICBO è sensibile alla temperatura e minore è il valore, migliori sono le caratteristiche di temperatura del transistor.

Collettore - Corrente di rottura inversa tra emettitori ICEO ICEO si riferisce alla corrente di dispersione inversa tra il collettore e l'emettitore quando la base del transistor è aperta, nota anche come corrente di penetrazione. Minore è il valore della corrente, migliori saranno le prestazioni del transistor.