Transistor ad effetto di campo

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Transistor ad effetto di campo

Il significato di "effetto di campo" è che il principio di funzionamento di questo transistor si basa sull'effetto del campo elettrico del semiconduttore.

Transistor ad effetto di campo Un transistor che funziona secondo il principio dell'effetto di campo. I transistor ad effetto di campo a loro volta contengono due tipi principali: FET a giunzione (JFET) e FET a semiconduttore a ossido di metallo (MOS-FET). A differenza del BJT, i FET sono elettricamente conduttivi solo tramite un tipo di portante (portanti maggioritari) e sono quindi indicati anche come transistor unipolari. Appartiene a un dispositivo a semiconduttore controllato in tensione e presenta i vantaggi di elevata resistenza di ingresso, basso rumore, basso consumo energetico, ampia gamma dinamica, facile integrazione, nessuna rottura secondaria e ampia area di lavoro sicura.

L'effetto di campo consiste nel modificare la direzione o l'entità del campo elettrico applicato perpendicolare alla superficie del semiconduttore per controllare la densità o il tipo di portatori maggioritari nello strato conduttivo (canale) del semiconduttore. Si tratta di una corrente modulata in tensione nel canale la cui corrente operativa viene trasportata dai portatori maggioritari nel semiconduttore. Un transistor in cui solo un tipo di portante polare partecipa alla conduzione è anche chiamato transistor unipolare. Rispetto ai transistor bipolari, i transistor ad effetto di campo hanno le caratteristiche di elevata impedenza di ingresso, basso rumore, frequenza limite elevata, basso consumo energetico, processo di produzione semplice e buone caratteristiche di temperatura. Sono ampiamente utilizzati in vari circuiti amplificatori, circuiti digitali e circuiti a microonde. Aspettare. I transistor a effetto di campo (MOSFET) 0-metallici a base di ossido e semiconduttore (MOSFET) e i transistor a effetto di campo a barriera Schottky (MESFET) a base di arseniuro di gallio sono i due transistor a effetto di campo più importanti. Sono i dispositivi di base dei circuiti integrati MOS LSI e MES ad altissima velocità.