Transistor di potenza e fototransistor

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Transistor di potenza e fototransistor

Il transistor di potenza viene letteralmente tradotto in transistor gigante dall'inglese Giant Transistor. È un transistor a giunzione bipolare (BJT) resistente all'alta tensione e alla corrente elevata, per questo motivo a volte viene chiamato Power BJT. Le sue caratteristiche sono: elevata tensione di tenuta. La corrente è elevata, le caratteristiche di commutazione sono buone, ma il circuito di pilotaggio è complicato e la potenza di pilotaggio è elevata; il principio di funzionamento del GTR e del normale transistor a giunzione bipolare è lo stesso.

Fototransistor

Un fototransistor è un dispositivo fotovoltaico composto da un dispositivo a tre terminali come un transistor bipolare o un transistor ad effetto di campo. La luce viene assorbita nella regione attiva di tali dispositivi, producendo portatori fotogenerati che producono guadagno di fotocorrente attraverso un meccanismo di amplificazione elettrica interna. Il fototransistor funziona alle tre estremità, quindi è facile ottenere il controllo elettronico o la sincronizzazione elettrica. Il materiale utilizzato per i fototransistor è solitamente l'arseniuro di gallio (GaAs), che è principalmente suddiviso in fototransistor bipolari, fototransistor ad effetto di campo e dispositivi correlati. I fototransistor bipolari hanno tipicamente guadagni elevati ma non sono molto veloci. Per GaAs-GaAlAs, il fattore di amplificazione può essere maggiore di 1000 e il tempo di risposta è maggiore dei nanosecondi. È comunemente usato nei fotorilevatori e nell'amplificazione ottica. Il fototransistor ad effetto di campo ha una velocità di risposta elevata (circa 50 picosecondi), ma lo svantaggio è che l'area fotosensibile è piccola e il guadagno è piccolo (il fattore di amplificazione può essere maggiore di 10), che viene spesso utilizzato come velocità molto elevata fotorivelatore. Oltre a questo esistono molti altri dispositivi optoelettronici planari caratterizzati da un'elevata velocità (tempo di risposta di decine di picosecondi) e adatti all'integrazione. Si prevede che tali dispositivi trovino applicazione nell'integrazione optoelettronica.